ਪਾਊਡਰ ਮੈਟਲ ਸੰਪਰਕ
| ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ: |
| ਸੰਪਰਕ ਕਰਨ ਵਾਲੇ, ਸਰਕਟ ਤੋੜਨ ਵਾਲੇ, ਥਰਮੋਸਟੈਟਸ, ਬੁੱਧੀਮਾਨ ਸਵਿੱਚ, ਆਦਿ |
| ਸਮੱਗਰੀ: |
| AgC,AgW,AgWC,AgWCC,AgNiC,CuW |
ਏ.ਜੀ.ਸੀ
ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ
ਆਮ ਵਰਣਨ
ਏਜੀਸੀ ਸੰਪਰਕ ਸਮੱਗਰੀ ਸੰਪਰਕ ਵੈਲਡਿੰਗ ਅਤੇ ਘੱਟ ਸੰਪਰਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦਿਖਾਉਂਦੀ ਹੈ।ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀ ਵਧਣ ਨਾਲ ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਵਿਰੋਧ ਵਧਦਾ ਹੈ।ਏਜੀਸੀ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਵਿੱਚ ਸਵੈ-ਲੁਬਰੀਕੇਟਿੰਗ ਵਿਵਹਾਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਸਲਾਈਡਿੰਗ ਸੰਪਰਕਾਂ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਦਾ ਘੇਰਾ
ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸੁਰੱਖਿਆ ਸਵਿੱਚਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ MCBs, MCCBs, ਬਕਾਇਆ ਮੌਜੂਦਾ ਸੁਰੱਖਿਆ ਸਵਿੱਚਾਂ, ਜਾਂ ਮੋਟਰ ਸੁਰੱਖਿਆ ਸਵਿੱਚਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ AgNi, AgW, AgWC ਜਾਂ Cu ਦੇ ਨਾਲ ਅਸਮੈਟ੍ਰਿਕ ਮੈਚ ਵਿੱਚ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
ਪਦਾਰਥਕ ਗੁਣ
| ਏ.ਜੀ.ਸੀ | ਏ.ਜੀ.ਸੀ | ਏ.ਜੀ.ਸੀ | ਏ.ਜੀ.ਸੀ | ਏ.ਜੀ.ਸੀ | ਏ.ਜੀ.ਸੀ | |
| C ਸਮੱਗਰੀ (wt.%) | 3±0.5 | 4±0.5 | 5±0.5 | 3±0.5 | 3.8±0.5 | 4±0.5 |
| ਘਣਤਾ (g/cnre) | ≥9.10 | ≥8.9 | ≥8.60 | ≥9.10 | ≥9.00 | ≥8.9 |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ (.10•ਸੈ.ਮੀ.) | ≤2.10 | ≤2.20 | ≤2.30 | ≤2.10 | ≤2.20 | ≤2.20 |
| ਕਠੋਰਤਾ ਐਚ.ਵੀ | ≥42 | ≥42 | ≥42 | ≥42 | ≥42 | ≥42 |
| ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ | ਸਿੰਟਰਿੰਗ-ਐਕਸਟ੍ਰੂਡਿੰਗ | |||||
ਉਤਪਾਦ ਦੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ
ਐਗਡਬਲਿਊ
ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ
ਆਮ ਵਰਣਨ
ਏਜੀਡਬਲਯੂ ਦੇ ਬਣੇ ਸੰਪਰਕ ਉੱਚ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂ ਅਤੇ ਡਬਲਯੂ ਦੀ ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ ਦੇ ਕਾਰਨ ਇੱਕ ਉੱਚ ਐਂਟੀ-ਵੈਲਡਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਚਾਪ ਦੇ ਕਟੌਤੀ ਲਈ ਉੱਚ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਉਹਨਾਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਚੰਗੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਵੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਦਾ ਘੇਰਾ
AgW ਸਮੱਗਰੀ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ MCCB ਅਤੇ ACB ਅਤੇ ਸੁਰੱਖਿਆ ਸਵਿੱਚਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
ਪਦਾਰਥਕ ਗੁਣ
| ਐਗਡਬਲਿਊ | ਐਗਡਬਲਿਊ | ਐਗਡਬਲਿਊ | ਐਗਡਬਲਿਊ | ਐਗਡਬਲਿਊ | ਐਗਡਬਲਿਊ | |
| Ag ਸਮੱਗਰੀ (wt.%) | 50±2 | 45±2 | 40±2 | 35±2 | 30±2 | 25±2 |
| ਘਣਤਾ (g/cm3) | ≥13.15 | ≥13.55 | ≥14.00 | ≥14.50 | ≥14.90 | ≥15.40 |
| EIec. ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ (1.10•ਸੈ.ਮੀ.) | ≤3.00 | ≤3.20 | ≤3.40 | ≤3.60 | ≤3.80 | ≤4.20 |
| ਕਠੋਰਤਾ ਐਚ.ਵੀ | ≥100 | ≥110 | ≥120 | ≥130 | ≥145 | ≥160 |
| ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ | ਘੁਸਪੈਠ | |||||
ਉਤਪਾਦ ਦੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ
AgWC
ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ
ਆਮ ਵਰਣਨ
ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਰੀ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਡਬਲਯੂਸੀ ਵਾਲੀ AgWC ਸੰਪਰਕ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ ਅਤੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਪਹਿਨਣ ਪ੍ਰਤੀ ਵਿਰੋਧ, ਸੰਪਰਕ ਵੈਲਡਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀ ਘੱਟ ਰੁਝਾਨ, ਅਤੇ ਸੇਵਾ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਸਥਿਰ ਸੰਪਰਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।AgWC ਸੰਪਰਕ ਪਾਊਡਰ ਧਾਤੂ ਘੁਸਪੈਠ ਦੁਆਰਾ ਪੈਦਾ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਦਾ ਘੇਰਾ
ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਹੈਵੀ-ਡਿਊਟੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਯੰਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਰਕਟ ਬ੍ਰੇਕਰ।ਬਕਾਇਆ ਮੌਜੂਦਾ ਸਰਕਟ ਤੋੜਨ ਵਾਲੇ।ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ AgC ਦੇ ਨਾਲ ਅਸਮਿਤ ਮੇਲ ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ
ਪਦਾਰਥਕ ਗੁਣ
| AgWC | AgWC | AgWC | AgWC | |
| Ag ਸਮੱਗਰੀ (wt.%) | 65±2 | 60±2 | 50±2 | 35±2 |
| ਘਣਤਾ (g/cm3) | ≥11.50 | ≥11.80 | ≥12.20 | ≥13.00 |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ (1.10•ਸੈ.ਮੀ.) | ≤3.30 | .ਏ.50 | 4.50 | 5.20 |
| ਕਠੋਰਤਾ ਐਚ.ਵੀ | ≥100 | ≥125 | ≥135 | ≥155 |
| ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ | ਘੁਸਪੈਠ | |||
ਉਤਪਾਦ ਦੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ
AgWCC
ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ
ਆਮ ਵਰਣਨ
ਉੱਚ Ag ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਕਾਰਨ, AgWCC ਸੰਪਰਕਾਂ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਸੰਪਰਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਉੱਚ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂ ਦੇ ਨਾਲ ਟੰਗਸਟਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਅਤੇ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਰੱਖਣ ਕਾਰਨ ਇਹਨਾਂ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਐਂਟੀ-ਵੈਲਡਿੰਗ ਗੁਣ ਹਨ।AgWCC ਸੰਪਰਕ sintering ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਮਿਤ ਹਨ.
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਦਾ ਘੇਰਾ
ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਹੈਵੀ-ਡਿਊਟੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਯੰਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਰਕਟ ਬ੍ਰੇਕਰ।ਬਕਾਇਆ ਮੌਜੂਦਾ ਸਰਕਟ ਤੋੜਨ ਵਾਲੇ।ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ AgNi, AgW ਜਾਂ AgWC ਨਾਲ ਅਸਮਿਤ ਮੇਲ ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
ਪਦਾਰਥਕ ਗੁਣ
| AgWCC | AgWCC | AgWCC | AgWCC | |
| Ag ਸਮੱਗਰੀ (wt.%) | 85±1 | 75±1 | 79±1 | 74.5±1 |
| ਘਣਤਾ (g/cm3) | ≥9.40 | ≥10.25 | ≥8.80 | ≥10.50 |
| Elec. Resistivity (u0•cnn) | ≤3.40 | ≤3.40 | ≤3.80 | ≤3.45 |
| ਕਠੋਰਤਾ ਐਚ.ਵੀ | ≥50 | ≥80 | ≥60 | ≥75 |
| ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ | ਮਿਕਸਿੰਗ-ਕੰਪੈਕਟਿੰਗ-ਸਿੰਟਰਿੰਗ | |||
ਉਤਪਾਦ ਦੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ
AgNiC
ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ
ਆਮ ਵਰਣਨ
AgNiC ਸੰਪਰਕ AgNi ਅਤੇ AgC ਸੰਪਰਕਾਂ ਦੇ ਫਾਇਦਿਆਂ ਨੂੰ ਜੋੜਦੇ ਹਨ।ਉਹਨਾਂ ਕੋਲ ਬਿਜਲਈ ਕਟੌਤੀ ਅਤੇ ਐਂਟੀ-ਵੈਲਡਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਚੰਗਾ ਵਿਰੋਧ ਹੈ।
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਦਾ ਘੇਰਾ
AgNiC ਸੰਪਰਕ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ MCCB, ACB ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।
ਪਦਾਰਥਕ ਗੁਣ
| AgNiC | AgNiC | 3AgNiC | |
| Ag ਸਮੱਗਰੀ (wt.%) | 67±1 | 73±1 | 94±1 |
| ਘਣਤਾ (g/cm3) | ≥8.70 | ≥9.10 | ≥8.50 |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ (.10•ਸੈ.ਮੀ.) | ≤4.50 | ≤3.50 | ≤3.50 |
| ਕਠੋਰਤਾ ਐਚ.ਵੀ | ≥50 | ≥60 | ≥30 |
| ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ | ਮਿਕਸਿੰਗ-ਕੰਪੈਕਟਿੰਗ-ਸਿੰਟਰਿੰਗ | ||
ਉਤਪਾਦ ਦੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ
CuW
ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ
ਆਮ ਵਰਣਨ
CuW ਸੰਪਰਕ ਸਾਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਉੱਚੇ ਕਰੇਟ ਤੱਕ ਚਾਪ ਦੇ ਕਟੌਤੀ ਅਤੇ ਐਂਟੀ-ਵੈਲਡਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।CuW ਸੰਪਰਕ ਪਾਊਡਰ ਧਾਤੂ ਵਿਗਿਆਨ (ਦਬਾਓ / ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਜਾਂ ਘੁਸਪੈਠ) ਦੇ ਜ਼ਰੀਏ ਆਕਾਰ ਦੀ ਇੱਕ ਵੱਡੀ ਕਿਸਮ ਵਿੱਚ ਪੈਦਾ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।ਟੰਗਸਟਨ ਸਮੱਗਰੀ 50%-80% ਹੈ।
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਦਾ ਘੇਰਾ
CuW ਸੰਪਰਕ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮੱਧਮ ਅਤੇ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਸਵਿਚਗੀਅਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।ਖਾਸ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਹਾਈ ਵੋਲਟੇਜ ਸਰਕਟ ਬ੍ਰੇਕਰ, ਲੋਡ ਸਵਿੱਚ, ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਸਵਿੱਚ ਟੈਪ ਚੇਂਜਰ ਅਤੇ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਆਰਸਿੰਗ ਸੰਪਰਕਾਂ ਵਿੱਚ ਹਨ।
ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, CuW ਸਮੱਗਰੀ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੈਲਡਿੰਗ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਜੋਂ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
ਪਦਾਰਥਕ ਗੁਣ
| CuW | CuW | CuW | |
| Cu ਸਮੱਗਰੀ (wt.%) | 50±2 | 40±2 | 30±2 |
| ਘਣਤਾ (g/cm3) | ≥11.85 | ≥12.75 | ≥13.80 |
| EIec. ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ (p0 cm) | ≤3.20 | ≤3.70 | ≤4.10 |
| ਕਠੋਰਤਾ ਐਚ.ਵੀ | ≥115 | ≥140 | ≥175 |
| ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ | ਘੁਸਪੈਠ | ||
ਉਤਪਾਦ ਦੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ
